Российские учёные запатентовали технологию глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния

18 октября 2026 · Все новости

Российские учёные разработали технологию глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния, которая позволяет получать частицы с заданным размером, формой, высокой однородностью, стабильностью и низким содержанием примесей. Эта технология будет применяться для создания полировальных суспензий, необходимых в производстве современных полупроводников.

Разработка ведётся в научно-исследовательской лаборатории инженерной химии Национального исследовательского института (НИИ) химии Университета Лобачевского в рамках федеральной программы «Приоритет-2030». Технологическая линия и регламент получения продукта будут готовы к октябрю 2026 года.

Изобретение относится к области очистки аморфного диоксида кремния и предназначено для использования в химико-механической полировке полупроводниковых пластин. Характеристики наночастиц, полученные в результате применения новой технологии, критически важны для применения в производстве микросхем.

Создана устойчивая суспензия, направленная на апробацию индустриальному партнёру. Разработка отечественных материалов с контролируемыми характеристиками важна для развития российской микроэлектроники и снижения зависимости от зарубежных поставщиков.

Источник: CNews

Поделиться новостью