19 октября 2026 · Все новости
Nvidia объединила усилия TSMC и Samsung на этапе разработки памяти типа NVHBM. TSMC является лидером по объёмам производства, а Samsung стремится догнать её в технологической сфере. ┬амять NVHBM позволяет вынести вспомогательные функции за пределы графического процессора (GPU) и увеличить быстродействие благодаря размещению в нём дополнительного количества вычислительных блоков. ┬ожно сократить площадь блока интерфейса физического уровня (PHY) на 60% по сравнению с классической HBM. ┬амять NVHBM может увеличить пропускную способность на величину до 30% и снизить энергопотребление на 15% по сравнению со стандартной HBM4E. ┬од 3-нм техпроцесс определён Nvidia как оптимальный для базового кристалла NVHBM, но уровень выхода годных чипов в его рамках должен превышать определённое значение. TSMC способна обеспечить необходимый уровень выхода годных чипов за пределами 90%, в то время как Samsung вряд ли готова поднять его выше 60% в обозримом будущем. ┬оскольку Samsung ограничена в своих способностях выпускать базовые кристаллы для NVHBM в необходимых Nvidia количествах, основные надежды возлагаются на TSMC. Samsung будет готовиться к самостоятельному выпуску базовых кристаллов для NVHBM по 2-нм техпроцессу. Кроме того, TSMC и Samsung также сотрудничают в сфере передовых технологий упаковки чипов.
Источник: 3DNews
